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&esp;&esp;“哈哈，說的也是，真期待那些人在知道我們公司即將釋出的晶片效能後的表情啊，要是被他們知道我們這次要釋出的晶片，其效能都已經是刪減版的就已經超出他們公司實驗室裡最先進的產品，那他們估計是要瘋了！”夸父樂呵呵的說道。
&esp;&esp;“是啊，閹割版的效能就足夠吊打他們了，要是將真正效能完全的產品問世，那他們肯定是要瘋了的！
&esp;&esp;不過我們也不可能一下子就將晶片的效能提升到現在的30倍左右，就我們準備釋出的5倍於現在市場上效能最頂級的晶片就足夠震撼他們了。
&esp;&esp;我們公司也就是沾了新材料的光，我們自己就是生產製造石墨烯的，對它的效能有足夠多的瞭解，這才能在這麼短的時間裡獲得突破。
&esp;&esp;也不能對那些公司掉以輕心的，現在大家都在研發基於石墨烯材質的晶片，要是他們獲得了突破，我們這些優勢搞不好會立刻就被追上的！”雷天唐笑著說道。
&esp;&esp;說是這麼說，不過真說什麼擔心，那是一點都沒有的，就看自家公司的高品質石墨烯都對外出售一年多，那些國家和公司的實驗室都還沒有真正取得技術突破這一點，就可以看的出研發石墨烯晶片的難度！
&esp;&esp;“老闆你又不是不知道技術突破的難度！反正我們就算是釋出7奈米制程的初級產品效能就足夠好了！
&esp;&esp;要是到時候那些國家和公司取得了技術突破，那我們將5奈米制程的最先進產品給放出來就是了！
&esp;&esp;反正7奈米的製程是矽材料晶片的物理極限，又不是我們採用的石墨烯材料的極限，我們的光刻機等裝置雖然技術都是來自他們，但是摸透了他們的技術後，我們自己最佳化升級的產品效能已經突破了他們的技術！
&esp;&esp;具體是生產7奈米的晶片還是生產5奈米的晶片，對我們的裝置而言幾乎沒有什麼區別！”夸父毫不在意的說道。
&esp;&esp;適用了20餘年的摩爾定律近年逐漸有了失靈的跡象。從晶片的製造來看，7n就是矽材料晶片的物理極限，夸父說的7奈米極限就是說的這個。
&esp;&esp;現在的cpu內整合了以億為單位的電晶體，這種電晶體由源極、漏極和位於他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。
&esp;&esp;所謂的xx 奈米其實指的是，cpu上形成的互補氧化物金屬半導體場效應電晶體柵極的寬度，也被稱為柵長。
&esp;&esp;柵長越短，則可以在相同尺寸的矽片上整合更多的電晶體，在晶片電晶體整合度相當的情況下，使用更先進的製造工藝，晶片的面積和功耗就越小，成本也越低。
&esp;&esp;縮短電晶體柵極的長度可以使cpu整合更多的電晶體或者有效減少電晶體的面積和功耗，並削減cpu的矽片成本。
&esp;&esp;正是因此，cpu生產廠商不遺餘力地減小電晶體柵極寬度，以提高在單位面積上所整合的電晶體數量。
&esp;&esp;不過這種做法也會使電子移動的距離縮短，容易導致電晶體內部電子自發透過電晶體通道的矽底板進行的從負極流向正極的運動，也就是漏電。
&esp;&esp;而且隨著晶片中電晶體數量增加，原本僅數個原子層厚的二氧化矽絕緣層會變得更薄進而導致洩漏更多電子，隨後洩漏的電流又增加了晶片額外的功耗。
&esp;&esp;為了解決漏電問題，各家公司可謂八仙過海，各顯神通，比如在製造工藝中融合了高介電薄膜和金屬門積體電路以解決漏電問題；
&esp;&esp;還有鰭式場效電晶體技術(ffet)藉由增加絕緣層的表面積來增加電容值，降低漏電流以達到防止發生電子躍遷的目的
&esp;&esp;上述做法在柵長大於7奈米的時候一定程度上能有效解決漏電問題。不過，在採用現有晶片材料的基礎上，電晶體柵長一旦低於7奈米，電晶體中的電子就很容易產生隧穿效應，為晶片的製造帶來巨大的挑戰。
&esp;&esp;而針對這一問題，尋找新的材料來替代矽製作7奈米以下的電晶體則是一個有效的解決之法。