鐳射器功耗大，發熱量大。
從飛利浦、索尼的光頭來看，完全是出自同一本源，又大又笨。
他一來就制定了採用分束外延生長課題、金屬有機物化學汽相沉積，研發基於80年代中後期工藝水平的量阱鐳射二極體。
量阱技術由於透過勢阱形成了量限制能量帶，迫使電高度集中，從而具有了極高的效率。在波長不變的情況下，功率都遠大於傳統半導體鐳射器，而功耗卻大大降低。更重要的是製作工藝簡單，成本低廉。
這種工藝其實並不複雜，貝爾實驗室在60年代末期就提出了相關理論，國際上也在進行相關研究。
但具體各層應該採用什麼材料、各材料的比例和處理工藝技術，卻一直沒有成熟的工藝流程，因此始終無法得到可以大規模製備的產品。透過大量的實驗，每一次都能進步一點、總結一點規律，但距離實用還差得很遠。
郭逸銘一來就提了個大方向，然後在實驗過程中，不斷隱蔽地抽掉那些被證明是錯誤的、無用的實驗方案，將實驗密度緊緊契合在最佳區間之內。雖然量阱鐳射器的研發開展了半年多不到一年，可取得的成績已經超出了國際上的水平。
他打算再慢慢調整，用半年到9個月時間，實現第一個大致可用的量阱半導體鐳射器的工藝定型，先推出產品。接下來就交給實驗室慢慢完善，還可以不斷推出改進品。
郭逸銘在實驗室待了很久，和他們一起討論如何進行下一步的研究，然後根據對方提出的實驗步驟和流程，圈定了幾個方案。其中就有幾項能夠比較快出效果的實驗方案，引導著研究小組向著正確�